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MSM51V18165F-60T3
MSM51V18165F-60T3
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メーカー: ROHM Semiconductor
数量
技術: DRAM
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 30 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 104ns
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動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 3V~3.6V
アクセス時間: 30 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 104ns
