技術: DRAM
動作温度: 0°C～70°C（TA）
メモリ構成: 4M x 4
電圧 - 供給: 3V～3.6V
アクセス時間: 30 ns
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 110ns