技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 4 Nチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 690W（Tc）
取り付けタイプ: スルーホール
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.4V @ 8mA（標準）
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 9.5ミリオーム @ 80A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 700V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 241A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 430nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 9000pF @ 700V