技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 2Nチャンネル（位相レッグ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -40°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 319W（Tc）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 3.2V @ 2.5mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 45ミリオーム @ 30A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700V（1.7kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 64A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 178nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 3300pF @ 1000V