技術: シリコンカーバイド（SiC）
構成: 4個のNチャンネル、コモンソース
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～175°C（TJ）
電力 - 最大: 560W
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.8V @ 2mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 16ミリオーム @ 80A、20V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1200V（1.2kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 150A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 464nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 6040pF @ 1000V