技術: SiC（Silicon Carbide）Schottky
認定: -
速度: 回復時間なし > 500mA（Io）
グレード: -
ダイオード構成: 2独立
取り付けタイプ: シャーシマウント
逆回復時間（trr）: 0 ns
動作温度 - ジャンクション: -55°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 200 µA @ 700 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 700 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 1.8 V @ 50 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 50A（DC）