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MRFE6VP5150GNR1
MRFE6VP5150GNR1
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メーカー: NXP USA Inc.
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技術: LDMOS
構成: デュアル
ゲイン: 26.1dB
周波数: 230MHz
雑音指数: -
電圧 - 定格: 133 V
電源 - 出力: 150W
電圧 - テスト: 50 V
電流 - テスト: 100 mA
定格電流(A): -
取り付けタイプ: 面実装
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構成: デュアル
ゲイン: 26.1dB
周波数: 230MHz
雑音指数: -
電圧 - 定格: 133 V
電源 - 出力: 150W
電圧 - テスト: 50 V
電流 - テスト: 100 mA
定格電流(A): -
取り付けタイプ: 面実装
