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MRF8372R2
MRF8372R2
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メーカー: Microsemi Corporation
数量
認定: -
ゲイン: 8dB~9.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 2.2W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 870MHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 30 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 16V
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ゲイン: 8dB~9.5dB
グレード: -
動作温度: -
電力 - 最大: 2.2W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 870MHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 30 @ 50mA、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 16V
