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MR0DL08BMA45R
MR0DL08BMA45R
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メーカー: Everspin Technologies Inc.
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技術: MRAM(磁気抵抗RAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 128K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 45 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: 0°C~70°C(TA)
メモリ構成: 128K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 45 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns
