技術: MRAM（磁気抵抗RAM）
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 128K x 8
電圧 - 供給: 3V～3.6V
アクセス時間: 35 ns
メモリサイズ: 1Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns