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MQ2N4861UB/TR
MQ2N4861UB/TR
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認定: MIL-PRF-19500/385
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 360 mW
抵抗 - RDS(On): 60 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 800 mV @ 500 pA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 18pF @ 10V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 8 mA @ 15 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 360 mW
抵抗 - RDS(On): 60 Ohms
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): 30 V
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 800 mV @ 500 pA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 18pF @ 10V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 8 mA @ 15 V
