仕入ランク:A
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MQ2N2608
MQ2N2608
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メーカー: Microchip
数量
認定: MIL-PRF-19500/295
FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: 5 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): -
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 6 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 10pF @ 5V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 1 mA @ 5 V
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FETタイプ: Pチャンネル
グレード: 軍事用
動作温度: -65°C~200°C(TJ)
電力 - 最大: 300 mW
抵抗 - RDS(On): -
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: 5 mA
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): -
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 6 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 30 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): 10pF @ 5V
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 1 mA @ 5 V
