技術: パワーMOSFET
特長: ブートストラップ回路、チャージポンプ
用途: DCモータ、汎用、ソレノイド
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 4V～45V
電圧 - 負荷: 4V～45V
Rds On（標準）: 120ミリオーム LS、100ミリオーム HS
フォールト保護: 過電流、過温度、過電圧、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: アナログ、ロジック、PWM
電流 - ピーク出力: 3A
電流 - 出力/チャンネル: 3A