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MMUN2233LT1G
MMUN2233LT1G
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認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 246 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA
周波数 - トランジション: -
抵抗 - エミッタベース(R2): 47 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50 V
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グレード: -
電力 - 最大: 246 mW
抵抗器を含む: R1とR2
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): 4.7 kOhms
トランジスタタイプ: NPN - プリバイアス
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: 250mV @ 300µA、10mA
周波数 - トランジション: -
抵抗 - エミッタベース(R2): 47 kOhms
電流 - コレクタ遮断(最大): 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100 mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 80 @ 5mA、10V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 50 V
