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MGD3160AM535EK
MGD3160AM535EK
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メーカー: NXP USA Inc.
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技術: IGBT
特長: -
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~125°C(TA)
負荷タイプ: -
電圧 - 供給: 4.75V~40V
電圧 - 負荷: 12V~25V
Rds On(標準): 500ミリオーム
フォールト保護: 過温度、短絡回路
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM、SPI
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 15A
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特長: -
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~125°C(TA)
負荷タイプ: -
電圧 - 供給: 4.75V~40V
電圧 - 負荷: 12V~25V
Rds On(標準): 500ミリオーム
フォールト保護: 過温度、短絡回路
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM、SPI
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 15A
