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MGD3160AM335EKR2
MGD3160AM335EKR2
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メーカー: NXP USA Inc.
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技術: パワーMOSFET、IGBT
特長: -
用途: DC-DCコンバータ
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 4.5V~40V
電圧 - 負荷: -
Rds On(標準): 500ミリオーム LS、500ミリオーム HS
フォールト保護: 過温度、短絡回路
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM、SPI
電流 - ピーク出力: 15A
電流 - 出力/チャンネル: 15A
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特長: -
用途: DC-DCコンバータ
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 4.5V~40V
電圧 - 負荷: -
Rds On(標準): 500ミリオーム LS、500ミリオーム HS
フォールト保護: 過温度、短絡回路
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM、SPI
電流 - ピーク出力: 15A
電流 - 出力/チャンネル: 15A
