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MG400V2YMS3(DAE)
MG400V2YMS3(DAE)
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メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 2kW（Tc）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.5V @ 400mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700V（1.7kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 400A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 53000pF @ 900V
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構成: Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: 150°C
電力 - 最大: 2kW（Tc）
取り付けタイプ: シャーシマウント
Id印加時のVgs（th）（最大）: 5.5V @ 400mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: -
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1700V（1.7kV）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 400A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: -
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 53000pF @ 900V
