仕入ランク:A
1
/
の
0
MDS1100
MDS1100
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Microsemi Corporation
数量
ゲイン: 8.9dB
動作温度: 200°C(TJ)
電力 - 最大: 8750W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 1.03GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 20 @ 5A、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 65V
詳細を表示する
動作温度: 200°C(TJ)
電力 - 最大: 8750W
取り付けタイプ: 面実装
トランジスタタイプ: NPN
周波数 - トランジション: 1.03GHz
雑音指数(fあたりの標準dB): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 100A
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): 20 @ 5A、5V
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 65V