技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: 論理レベルゲート
グレード: -
動作温度: 150°C（TJ）
電力 - 最大: 800mW
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: -
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 230ミリオーム @ 800mA、4V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 1.6A、1A
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 1.4nC @ 4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 105pF @ 10V