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MCGD115NP10L-TP
MCGD115NP10L-TP
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メーカー: MCC (Micro Commercial Components)
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数量
技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 31W (Tj)、24W (Tj)
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.3V @ 250µA、2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 115ミリオーム @ 10A、10V、325ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Tc）、5.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 23nC @ 10V、18.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 851pF @ 50V、949pF @ 50V
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構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 31W (Tj)、24W (Tj)
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.3V @ 250µA、2V @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 115ミリオーム @ 10A、10V、325ミリオーム @ 5A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 10A（Tc）、5.5A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 23nC @ 10V、18.4nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 851pF @ 50V、949pF @ 50V
