特長: -
入力数: 2
回路数: 4
動作温度: -55°C～125°C
論理タイプ: NANDゲート
電圧 - 供給: 3V～18V
取り付けタイプ: 面実装
論理レベル - 低: 0.9V～4V
論理レベル - 高: 3.6V～10.8V
電流 - 出力高、低: 8.8mA、8.8mA
電流 - 静止（最大）: 1 µA
V印加時、最大CLあたりの最大伝搬遅延: 80ns @ 15V、50pF