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MBT3906DW1T2G
MBT3906DW1T2G
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認定: -
グレード: -
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): -
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: -
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): -
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): -
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
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グレード: -
電力 - 最大: 150mW
取り付けタイプ: 面実装
抵抗 - ベース(R1): -
トランジスタタイプ: 2 PNP - プリバイアス(デュアル)
Vce飽和(最大) @ lb、Ic: -
周波数 - トランジション: 250MHz
抵抗 - エミッタベース(R2): -
電流 - コレクタ遮断(最大): -
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 200mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小): -
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): -
