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MBR35100R
MBR35100R
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メーカー: Navitas Semiconductor, Inc.
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数量
技術: ショットキー、逆極性
認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: シャーシ、スタッド実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 35A
Vr、F印加時の静電容量: -
動作温度 - ジャンクション: -55°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 1.5 mA @ 20 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 100 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 840 mV @ 35 A
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認定: -
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
グレード: -
取り付けタイプ: シャーシ、スタッド実装
逆回復時間（trr）: -
電流 - 平均整流（Io）: 35A
Vr、F印加時の静電容量: -
動作温度 - ジャンクション: -55°C～150°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 1.5 mA @ 20 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 100 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 840 mV @ 35 A
