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MBR200100CTS
MBR200100CTS
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技術: ショットキー
速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
ダイオード構成: 2独立
取り付けタイプ: ネジ取り付け
逆回復時間（trr）: -
動作温度 - ジャンクション: -40°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 80 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 100 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 950 mV @ 100 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 200A（DC）
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速度: 高速回復 =< 500ns、> 200mA（Io）
ダイオード構成: 2独立
取り付けタイプ: ネジ取り付け
逆回復時間（trr）: -
動作温度 - ジャンクション: -40°C～175°C
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ: 10 µA @ 80 V
電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）: 100 V
電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）: 950 mV @ 100 A
電流 - 平均整流（Io）（ダイオード当たり）: 200A（DC）
