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MB85RS64VYPNF-G-AWE2
MB85RS64VYPNF-G-AWE2
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技術: FRAM(強誘電体RAM)
認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~5.5V
アクセス時間: 13 ns
メモリサイズ: 64Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 33 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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認定: AEC-Q100
グレード: 自動車
動作温度: -40°C~125°C(TA)
メモリ構成: 8K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~5.5V
アクセス時間: 13 ns
メモリサイズ: 64Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 33 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: SPI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -