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MB85RC16VPNF-G-AWE2
MB85RC16VPNF-G-AWE2
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技術: FRAM(強誘電体RAM)
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 2K x 8
電圧 - 供給: 3V~5.5V
アクセス時間: 550 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 1 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: I2C
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 2K x 8
電圧 - 供給: 3V~5.5V
アクセス時間: 550 ns
メモリサイズ: 16Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 1 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: I2C
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
