技術: FRAM（強誘電体RAM）
動作温度: -40°C～85°C（TA）
メモリ構成: 512K x 16
電圧 - 供給: 1.8V～3.6V
アクセス時間: 150 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 150ns