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MB85R256FPFCN-G-BNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
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技術: FRAM(強誘電体RAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 32K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 150 ns
メモリサイズ: 256Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 150ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 32K x 8
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 150 ns
メモリサイズ: 256Kビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: FRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 150ns
