技術: MOSFET（金属酸化物）
特長: ブートストラップ回路
用途: 汎用
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性、抵抗性
電圧 - 供給: 4.75V～9.5V
電圧 - 負荷: 600V（最大）
Rds On（標準）: 150ミリオーム
フォールト保護: 過温度、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: 17A
電流 - 出力/チャンネル: 10A