仕入ランク:A
1
/
の
1
M58WR064EB70ZB6
M58WR064EB70ZB6
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Micron
数量
技術: FLASH - NOR
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 4M x 16
電圧 - 供給: 1.65V~2.2V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 66 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
詳細を表示する
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 4M x 16
電圧 - 供給: 1.65V~2.2V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: 66 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns
