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M3004316045NX0PBCR
M3004316045NX0PBCR
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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数量
技術: MRAM(磁気抵抗RAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C
メモリ構成: 256K x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 45 ns
メモリサイズ: 4Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~105°C
メモリ構成: 256K x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: 45 ns
メモリサイズ: 4Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: RAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns