技術: FLASH - ブートブロック
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C～125°C（TA）
メモリ構成: 512K x 16、1M x 8
電圧 - 供給: 3V～3.6V
アクセス時間: 70 ns
メモリサイズ: 8Mビット
メモリタイプ: 不揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: フラッシュ
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: CFI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 70ns