仕入ランク:A
1
/
の
1
LSK589 SOIC 8L ROHS
LSK589 SOIC 8L ROHS
価格はお問合せ
要確認
メーカー: Linear Integrated Systems, Inc.
データシート: データシートを表示
数量
認定: -
FETタイプ: 2 Nチャンネル（デュアル）
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 500 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: 50 mA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 1.5 V @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 25 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5pF @ 10V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 7 mA @ 10 V
詳細を表示する
FETタイプ: 2 Nチャンネル（デュアル）
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 500 mW
抵抗 - RDS（On）: -
取り付けタイプ: 面実装
電流ドレイン（Id） - 最大: 50 mA
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 25 V
電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）: 1.5 V @ 1 nA
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）: 25 V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 5pF @ 10V
電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）: 7 mA @ 10 V
