技術: 窒化ガリウム（GaN）FET
特長: ブートストラップ回路
用途: 同期式降圧コンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 4.75V～5.25V
電圧 - 負荷: 80V
Rds On（標準）: 15ミリオーム LS、15ミリオーム HS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 10A