技術: 窒化ガリウム（GaN）FET
特長: ブートストラップ回路
用途: DC-DCコンバータ
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ（3）
動作温度: -40°C～125°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性、容量性
電圧 - 供給: 4.75V～5.25V
電圧 - 負荷: 93V（最大）
Rds On（標準）: 2.6ミリオーム LS、2.7ミリオーム HS
フォールト保護: UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: PWM
電流 - ピーク出力: 53A
電流 - 出力/チャンネル: 53A