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LM2005DR
LM2005DR
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メーカー: Texas Instruments
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: CMOS、TTL
電圧 - 供給: 9V~18V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 28ns、18ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 500mA、800mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 105 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TJ)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: CMOS、TTL
電圧 - 供給: 9V~18V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 同期
論理電圧 - VIL、VIH: -
DigiKeyプログラマブル: -
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 28ns、18ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): 500mA、800mA
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 105 V
