技術: パワーMOSFET
特長: ステータスフラッグ
用途: ソレノイド
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ
動作温度: -40°C～150°C（TJ）
負荷タイプ: 誘導性
電圧 - 供給: 6V～28V
電圧 - 負荷: 45V（最大）
Rds On（標準）: 150mオームLS（最大）、150mオームHS（最大）
フォールト保護: 電流制限、オープン負荷検出、過温度、過電圧、UVLO
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: I2C、PWM
電流 - ピーク出力: -
電流 - 出力/チャンネル: 14A