技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: Nチャネル（デュアル）コモンソース × 2
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 2.5W（Ta）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 900mV @ 250µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 1.9ミリオーム @ 8A、4.5V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 5.5V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 16A（Tj）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.5nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 600pF @ 5V