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K6F1616U6A-EF55T
K6F1616U6A-EF55T
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技術: SRAM - 非同期
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 1M x 16
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 16Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: -
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: SRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 55ns