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K4F8E304HB-MGCJ
K4F8E304HB-MGCJ
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技術: -
認定: -
グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 256M x 32
電圧 - 供給: 1.1V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 8Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1866 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: -
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グレード: -
動作温度: -25°C~85°C
メモリ構成: 256M x 32
電圧 - 供給: 1.1V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 8Gビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 1866 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: DRAM
DigiKeyプログラマブル: 未検証
メモリインターフェース: パラレル
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