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J111_D27Z
J111_D27Z
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メーカー: ONSEMI
数量
認定: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 625 mW
抵抗 - RDS(On): 30 Ohms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): -
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 3 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 35 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): -
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 20 mA @ 15 V
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FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C~150°C(TJ)
電力 - 最大: 625 mW
抵抗 - RDS(On): 30 Ohms
取り付けタイプ: スルーホール
電流ドレイン(Id) - 最大: -
ドレイン~ソース間電圧(Vdss): -
電圧 - Id印加時の遮断(VGSオフ): 3 V @ 1 µA
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS): 35 V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大): -
電流 - Vds(Vgs=0)印加時のドレイン(Idss): 20 mA @ 15 V
