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IXXN110N65C4H1
IXXN110N65C4H1
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入力: 標準
構成: シングル
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: PT
電力 - 最大: 750 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.35V @ 15V、110A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 50 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 210 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
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構成: シングル
動作温度: -55°C~175°C(TJ)
IGBTタイプ: PT
電力 - 最大: 750 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce(on)(最大) @ Vge、Ic: 2.35V @ 15V、110A
入力静電容量(Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断(最大): 50 µA
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 210 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): 650 V
