技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル、デプレッションモード
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: 面実装
電力散逸（最大）: 1.1W（Ta）、25W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4.5V @ 25µA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 80オーム @ 50mA、0V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 1000 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 400mA（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 5.8 nC @ 5 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 0V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 100 pF @ 25 V