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IXGN82N120B3H1
IXGN82N120B3H1
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入力: 標準
構成: シングル
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
IGBTタイプ: PT
電力 - 最大: 595 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 3.2V @ 15V、82A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 50 µA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 145 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
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構成: シングル
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
IGBTタイプ: PT
電力 - 最大: 595 W
NTCサーミスタ: なし
取り付けタイプ: シャーシマウント
Vce（on）（最大） @ Vge、Ic: 3.2V @ 15V、82A
入力静電容量（Cies） @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
電流 - コレクタ遮断（最大）: 50 µA
電流 - コレクタ（Ic）（最大）: 145 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: 1200 V
