技術: MOSFET（金属酸化物）
認定: -
FET機能: -
FETタイプ: Nチャンネル
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
Vgs（最大）: ±20V
取り付けタイプ: シャーシマウント
電力散逸（最大）: 520W（Tc）
Id印加時のVgs（th）（最大）: 4V @ 8mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 23ミリオーム @ 500mA、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 100A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 380 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 9000 pF @ 25 V