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IX6R11M6T/R
IX6R11M6T/R
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メーカー: IXYS
数量
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~35V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 6V、9.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 25ns、17ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): -
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V
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グレード: -
動作温度: -40°C~125°C(TA)
駆動構成: ハーフブリッジ
ドライバ数: 2
入力タイプ: 非反転
電圧 - 供給: 10V~35V
ゲートタイプ: IGBT、MOSFET(Nチャンネル)
取り付けタイプ: 面実装
チャンネルタイプ: 独立
論理電圧 - VIL、VIH: 6V、9.5V
DigiKeyプログラマブル: 未検証
立ち上がり/立ち下がり時間(標準): 25ns、17ns
電流 - ピーク出力(ソース/シンク): -
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ): 600 V