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ISL55110IVZ-T
ISL55110IVZ-T
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メーカー: Renesas Electronics Corporation
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技術: パワーMOSFET
特長: -
用途: デジタル画像
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ(2)
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 2.7V~5.5V
電圧 - 負荷: 5V~13.2V
Rds On(標準): 3オーム
フォールト保護: -
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: 3.5A
電流 - 出力/チャンネル: 100mA
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特長: -
用途: デジタル画像
認定: -
グレード: -
出力構成: ハーフブリッジ(2)
動作温度: -40°C~150°C(TJ)
負荷タイプ: 静電容量性および抵抗性
電圧 - 供給: 2.7V~5.5V
電圧 - 負荷: 5V~13.2V
Rds On(標準): 3オーム
フォールト保護: -
取り付けタイプ: 面実装
インターフェース: 論理
電流 - ピーク出力: 3.5A
電流 - 出力/チャンネル: 100mA
