技術: MOSFET（金属酸化物）
構成: NおよびPチャンネル
認定: -
FET機能: -
グレード: -
動作温度: -55°C～150°C（TJ）
電力 - 最大: 1.4W（Ta）、2.5W（Tc）
取り付けタイプ: 面実装
Id印加時のVgs（th）（最大）: 2.7V @ 1mA
Id、Vgs印加時のRds On（最大）: 17ミリオーム @ 9.6A、10V、23ミリオーム @ 8.8A、10V
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）: 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）: 7.2A（Ta）、9.6A（Tc）、6.6A（Ta）、8.8A（Tc）
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）: 19.5nC @ 10V、19nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）: 1100pF @ 20V、2500pF @ 20V