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IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8M x 4
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 32Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 8M x 4
電圧 - 供給: 2.7V~3.6V
アクセス時間: -
メモリサイズ: 32Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 133 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 45ns
