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IS66WVQ16M4FALL-200BLI
IS66WVQ16M4FALL-200BLI
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メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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数量
技術: PSRAM(擬似SRAM)
認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 16M x 4
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 5 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
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認定: -
グレード: -
動作温度: -40°C~85°C(TA)
メモリ構成: 16M x 4
電圧 - 供給: 1.7V~1.95V
アクセス時間: 5 ns
メモリサイズ: 64Mビット
メモリタイプ: 揮発性
クロック周波数: 200 MHz
取り付けタイプ: 面実装
メモリフォーマット: PSRAM
DigiKeyプログラマブル: -
メモリインターフェース: SPI - クワッドI/O
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: 35ns
